莱普科技：技术优势筑牢根基，产业协同引领突围

近日，成都莱普科技股份有限公司(简称“莱普科技”)已进行首轮问询回复。

根据公开数据，近几年莱普科技业务增长迅速，2022-2024年及2025年1-9月，公司营业收入分别为7,414.56万元、19,075.73万元、28,102.42万元和19,046.49 万元。目前莱普科技已成为国内激光热处理设备市场中的领跑者，并在行业内具有较为显著的技术优势。

以技术优势构筑行业壁垒

半导体设备作为半导体产业的根基与先导力量，具有技术壁垒森严、研发周期漫长、客户验证门槛高等显著特征，其应用贯穿于晶圆制造、光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂、表面处理及封装测试等芯片生产全流程。其中，热处理在半导体工艺中是不可或缺的重要工艺之一，热处理设备用于对晶圆进行加热处理，以实现所需的化学反应和物理变化。

根据招股书披露，莱普科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产和销售，并提供相关技术服务。主要产品包括激光热处理设备与专用激光加工设备两大序列，产品已广泛应用于12英寸集成电路产线、先进封装产线。

目前，国内只有为数不多的几家激光设备公司能同时服务半导体前、后道工序，例如大族激光，但其更多专注于后道工艺封测所需的专业激光加工设备。并且国内激光设备厂商的发展路径惯以从后道封测设备切入，然后突破前道制造中的隐形切割，最后再向激光退火等尖端的前道工艺发起挑战。

而莱普科技多年来专注于激光热处理设备这一细分领域，经过多年深耕，已在晶圆制造和封装测试方面积累了众多客户，成为国内少数具备同时服务前道、后道工艺的激光设备厂家。

在芯片制造工艺上，行业内一般以28nm为“分水岭”，区分先进制程和成熟制程。先进的精密激光技术可以精准选定工艺区域，是半导体28nm及以下制程、三维堆叠、同质集成、异构集成、Chiplets等先进制程和先进封装的关键支撑技术之一。

一直以来莱普科技都在有针对性地开展先进精密激光技术、创新工艺和设备的研发工作，并延伸布局至精密电子及MLED等产业。目前莱普科技相关设备已成功应用于先进制程3D NAND Flash存储芯片、先进制程DRAM存储芯片、28nm及以下先进制程逻辑芯片、SiC功率芯片、沟槽栅型IGBT功率芯片、先进电源管理芯片、BSI-CCD芯片量产，以及国产HBM芯片工艺研发等前沿应用场景。

并且在国际上连续对我国芯片技术“卡脖子”的背景下，莱普科技自成立以来承担国家某部委应用专项攻关任务，建成了四川省企业技术中心、四川省先进全固态激光工程技术研究中心等省级研发平台，同时与中科院半导体研究所等科研机构、合作伙伴建立长期合作研发机制，将基础研究与产业需求紧密结合。

数据显示，莱普科技近年来的研发投入占比始终保持在行业较高水平，2022-2024年研发费用率分别为20.61%、12.56%、20.90%，整体高于国内半导体设备行业平均水平，这种持续的投入为技术领先提供了坚实保障。

以市场突破带动产业链协同发展

在国内半导体产业自主可控的大背景下，国产替代已成为行业发展的必然趋势，莱普科技凭借扎实的技术积累，在这一赛道上不仅成功打破国际厂商的长期垄断，更通过自身的市场突破带动了上游国产零部件产业链的协同发展，为国家半导体产业链安全提供了关键支撑。

从产品应用来看，公司自主研发的激光热处理与专用激光加工两大设备序列已应用于半导体前道工序的晶圆制造与后道工序的封装测试环节，形成了 “前道+后道” 协同服务的产品布局。这种流程覆盖能力，使得莱普科技能够为客户提供一体化的设备解决方案，大幅提升客户粘性，同时也为公司在市场竞争中赢得了更多主动权。

市场份额的稳步提升，是莱普科技国产替代成果的直接体现。2024年，公司在国内激光热处理设备市场的市占率已达到16%，较2022年提升了13个百分点，这一增长不仅反映出市场对公司产品的认可，更凸显出国产设备在高端领域的竞争力正在不断增强。

更具行业价值的是，莱普科技在实现自身国产替代突破的同时，还通过设备国产化带动产业链国产化的模式，推动产业链协同发展。莱普科技的激光热处理设备助力下游半导体厂商实现半导体产品电学特性增强、器件质量提高、芯片产出率有效提升;专业激光加工设备，帮助下游半导体厂商以较低成本实现高精度形状特征的高效率塑造。

同时，公司在设备产品的产业化过程中也有效带动上游供应商突破核心技术和制造工艺问题，为上游半导体核心零部件、模块提供产业验证机会，最终形成产业链上下游一体化协同发展的新局面。

值得一提的是，目前，国内半导体产业链仍处于变革早期阶段，上游核心零部件国产供应体系及下游先进制程、异构集成等相关技术的渗透率均在完善、爬升阶段，对配套的国产高端设备的需求愈发加大，叠加国家政策支持，可以想见未来莱普科技等国产半导体高端设备企业将具较大成长空间。

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