机构上修存储价格，料DRAM 季涨 90-95%；科创芯片设计ETF易方达（589030）近10日“吸金”超2亿

截至10：00，上证科创板芯片设计主题指数（950162）跌3.1%，权重股多数调整，澜起科技跌超7%，龙芯中科跌超5%，寒武纪、佰维存储跌超4%。截至2月3日，该指数近一年上涨88.92%。

科创芯片设计ETF易方达（589030）近5日“吸金”超1.7亿，近10日“吸金”超2亿元。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，TrendForce集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

东方证券发布研报称，海外存储巨头SK海力士与闪迪业绩强劲，且下季指引乐观，印证存储行业供不应求。AI推理需求正成为存储增长核心动力，将持续拉动数据中心对DRAM和NAND的需求。同时，NOR Flash等利基存储因产能被主流产品挤压，供给大幅收缩，预计紧缺与涨价态势将延续，国内相关厂商有望受益。

科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数覆盖芯片设计、制造、封测、设备等产业链各环节，反映半导体产业整体发展趋势，数字芯片设计和模拟芯片设计为前两大权重行业，合计占比高达94.1%。

易方达基金是国内领先的综合性资产管理机构，20余年指数投资专业沉淀。指数产品线全面布局主流宽基指数，涉及多个行业指数，覆盖跨境、跨市场指数，触达全球10余个交易所。专业指数投研团队，具备丰富的产品设计、投资管理经验。

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