三星HBM4产能满载，存储供需缺口扩大；科创芯片ETF易方达（589130）标的指数近一年上涨192%

截至10：31，上证科创板芯片指数（000685）上涨2.45%，创纪录新高；权重股中，佰维存储涨10.55%、中科飞测涨5.19%、中微公司涨5.1%、华虹宏力涨4.9%、海光信息涨4.81%，纳芯微跌3.95%、晶晨股份跌2.66%、仕佳光子跌2.62%、思瑞浦跌2.1%、XD华润微跌1.52%。截至前一交易日，该指数近1年涨192.78%。

科创芯片ETF易方达（589130）持续获得资金涌入，截至前一交易日，该基金近三月合计净流入5.08亿元。

消息面上，三星HBM4创下存储芯片史上最快的商业化里程碑之一，现有产能已被客户全数预订售罄，第三季度起HBM4将占三星HBM总销售额逾半。三星预计存储市场2027年供需缺口将进一步扩大。

三星电子近期已将每月约15万片HBM DRAM晶圆投入量中的一半——约7.5万片——分配给第六代HBM4，其余产能分配给12层HBM3E。三星今年2月在全球率先完成HBM4量产出货，此后四个月内实现约10亿美元（约合1.54万亿韩元）营收，全年营收预计可达100亿美元。

中信建投指出，AI算力爆发正深度重塑芯片设计产业格局。定制化、高性能互连及先进封装设计正成为核心增长引擎。未来芯片设计将更强调软硬件协同优化，头部设计服务企业有望持续受益于技术迭代与项目放量。

科创芯片ETF易方达（589130）紧密跟踪上证科创板芯片指数，该指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

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