三巨头竞速HBM4E交付，机构上调存储规模至8900亿美元，科创芯片设计ETF浦银(589250）早盘飘红，标的指数近1年涨115.67%

外盘方面，隔夜美股，半导体板块全线大涨，存储芯片方向领涨，费城半导体指数涨4.45%。西部数据单日大涨16.10%，美光科技涨10.84%，闪迪涨6.45%。

6月16日，主要股指高开，芯片板块走强。截至9:34，科创芯片设计ETF浦银(589250）涨0.07%；样本股，芯朋微涨超7% 、南芯科技涨超5%，普冉股份、国芯科技、泰凌微涨超2%。

Wind数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数近1年涨115.67%。

三大存储巨头竞逐HBM4E。近日，三星电子向英伟达、AMD等客户交付全球首批12层48GB HBM4E样品，带宽达1.5TB/s以上。紧随其后，SK海力士正筹备送样，最早于6月底出货，将用于英伟达下一代AI加速器"Rubin Ultra"，公司正加速原定下半年的计划。美光预计年底跟进样品供应。

国金证券研报指出，TrendForce预计存储器市场规模将从2025年的约2200亿美元跃升至2026年的约8900亿美元。供给端，三大DRAM制造商（海力士、美光、三星）掌控约90%的DRAM供应及几乎全部HBM产能，并将先进制程晶圆优先导向高利润的AI及服务器DRAM，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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