易方达科创芯片设计ETF：把握存储芯片超级周期机遇

3月初，存储芯片行业正经历一场由AI驱动的“超级高景气周期”。全球存储器市场因AI基础设施爆发式需求与供给刚性约束而陷入全面短缺，DRAM、NAND及HBM价格持续暴涨。国家发展改革委价格监测中心指出，自2025年9月以来，受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺影响，存储芯片价格涨幅呈现扩大态势。行业数据显示，2026年第一季度DRAM合约价预计环比上涨80%-95%，NAND Flash涨幅达33%-60%，其中HBM等高端产品涨幅最高达85%。与此同时，国内上市公司业绩捷报频传，佰维存储预计2026年1-2月营业收入同比增长340%至395%，德明利2025年营收首次突破百亿元，同比增长126.07%，行业盈利修复动能强劲。全球存储龙头SK海力士在投资者会议上明确表示，2026年全年存储芯片供应将持续紧张，HBM产能已全部提前售罄，市场已彻底转向卖方市场。

在此产业浪潮下，聚焦于芯片设计核心环节的 易方达上证科创板芯片设计主题ETF 成为资金布局半导体上游高附加值领域的重要工具。该基金紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，100%投资于芯片设计上市公司，前十大重仓股涵盖海光信息、澜起科技、寒武纪、芯原股份、佰维存储等算力与存储龙头。尽管近期市场波动，该基金展现出强大的资金吸引力。截至2026年3月3日，基金单日获得净申购8089.24万元，资金净流入达7870.77万元，在可比基金中位居第一。在资金持续涌入下，基金份额突破4.80亿份，最新规模达4.73亿元。从业绩表现看，该基金自成立以来周盈利概率为85.71%，近一月跟踪误差仅为0.011%，在同类基金中跟踪精度最高。其重仓的佰维存储、澜起科技等公司正是此轮存储涨价与AI算力需求爆发的直接受益者，为基金净值提供了扎实的业绩支撑。

综合来看，存储芯片正迎来“需求爆发+供给紧缺+政策催化”的三重驱动。国家发改委对存储芯片价格上涨的高度关注，以及佰维存储等龙头公司业绩的爆发式增长，共同印证了行业的高度景气。对于看好半导体国产替代与AI算力浪潮的投资者而言，借道易方达科创芯片设计ETF进行布局，相当于一键配置科创板芯片设计核心资产，既能分享行业景气上行的Beta收益，又有效分散了单一公司的非系统性风险。